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J-GLOBAL ID：200903058998229867

炭化ケイ素と窒化ガリウムとの間の緩衝構造体及びそれを利用した半導体デバイス

Inventor： エドモンド,ジョン・エイ ,  ドミトリエフ,ウラディミル ,  アーヴィン,ケネス
Applicant, Patent owner： クリー リサーチ インコーポレテイッド
Agent (1)： 湯浅 恭三 (外6名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1995516809
Publication number (International publication number)：1997508751
Application date： Nov. 01, 1994
Publication date： Sep. 02, 1997
Summary：

【要約】単結晶炭化ケイ素の層と単結晶窒化ガリウムの層との間に、格子及び熱に関する良好な一致をもたらすための、遷移結晶構造が開示される。この遷移構造は、窒化ガリウム及び窒化アルミニウムから成る第1の層と、該第1の層に隣接し、窒化ガリウム及び窒化アルミニウムから成る第2の層とから形成される、緩衝体を備えている。第2の層の窒化アルミニウムのモル百分率は、第1の層の窒化アルミニウムのモル百分率とは実質的に異なる。窒化ガリウムの第2の層の上に、単結晶窒化ガリウムの層が形成される。好ましい実施例においては、緩衝体は更に、炭化ケイ素基板の上に、窒化アルミニウムのエピタキシャル層を備える。

Claim (excerpt)：

単結晶炭化ケイ素と単結晶窒化ガリウムの層との間に、格子及び熱に関する良好な一致をもたらすための、遷移結晶構造であって、 緩衝体を備えており、該緩衝体が、 窒化ガリウム及び窒化アルミニウムから成る第1の層と、 該第1の層に隣接し、窒化ガリウム及び窒化アルミニウムから成り、該窒化アルミニウムのモル百分率が前記第1の層の窒化アルミニウムのモル百分率とは実質的に異なっている、第2の層と、 窒化ガリウム及び窒化アルミニウムから成る前記第2の層の上に設けられる、単結晶窒化ガリウムの層とを含むことを特徴とする、遷移結晶構造。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205