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J-GLOBAL ID：200903059004516290

電荷収集能を高めた半導体放射線検出器

Inventor： アポトフスキー,ボリス ,  リングレン,クリントン,エル. ,  オガネシアン,アショット ,  ピ,ボー ,  バトラー,ジャック,エフ. ,  ドーティー,エフ,パトリック ,  コーンウェル,リチャード,エル. ,  フリーセンハーン,スタンレー,ジェイ.
Applicant, Patent owner： ディジラッド,インコーポレーテッド
Agent (1)： 平木 祐輔 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997515106
Publication number (International publication number)：1998512372
Application date： Oct. 04, 1996
Publication date： Nov. 24, 1998
Summary：

【要約】イオン化放射線を検出するための放射線検出器である。該検出器は最低2側面を備える半導体(502)を設けている。半導体(502)の1側面にバイアス電極(504)が設けられている。半導体(502)の1側面に信号電極(506)が設けられ、イオン化放射線のエネルギー準位を検出するために利用される。第3電極(508)(制御電極)も半導体(502)上に設けられている。制御電極(508)は、電荷雲が信号電極(506)に接近するまで、イオン化放射線により生じた誘導された電荷を信号電極(506)と共用する。制御電極(508)はまた、雲が信号電極(506)に接近する際に、半導体(502)内の電界(518)を、電界が電荷雲を信号電極(506)へ案内するように変化させる。

Claim (excerpt)：

(a)複数の側面と最低0.5mmの厚さを有する半導体と、(b)半導体の最低1側面に形成されたバイアス電極と、(c)半導体の最低1側面に形成された単一電極と、(d)半導体内でのイオン化により生じた電荷雲を単一電極へ導くために、また、半導体内の正孔トラッピングの信号電極への影響を大幅に低減するために半導体の最低1側面に形成された最低1つの制御電極と、を有する放射線検出器であって、 放射線検出器が約20KeVより大きなエネルギーを効率的に検出することが可能であることを特徴とする放射線検出器。

IPC (2)：

G01T 1/24 ,  H01L 31/09

FI (2)：

G01T 1/24 ,  H01L 31/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平1-138486