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J-GLOBAL ID：200903059004771192

分散補償光回路

Inventor： 小坂 英男
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 稲垣 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999021260
Publication number (International publication number)：2000224109
Application date： Jan. 29, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 素子寸法がcm程度以下であって、挿入損失が小さく、補償帯域が広い分散補償素子を提供する。【解決手段】 本分散補償光回路は、波長に強く依存して入射光を大きく屈折させる機能を有し、基板13上に左右対称に形成され、配置された、フォトニック結晶11と、フォトニック結晶12とを備えている。基板は、自由キャリア吸収の影響をさけるため不純物濃度の低い高抵抗シリコンからなっている。フォトニック結晶は、酸化ケイ素中にシリコンよりなる直径0.3μmの円柱を三角格子状に0.6μmピッチで周期的に配置したものである。入射光14は、フォトニック結晶11で短波長光ほど大きく上方に折れ曲がり、再度、フォトニック結晶12で同じ角度で下方に戻され、右側の出力光15となって出力される。

Claim (excerpt)：

信号光の光ファイバ中の伝播速度の波長依存を補償する分散補償光回路であって、波長に強く依存して入射光を大きく屈折させる機能を有し、光の進行方向に直列に配置された複数個のフォトニック結晶を備え、複数個のフォトニック結晶のうち隣合う各2個のフォトニック結晶は、その構造が各2個のフォトニック結晶の中間点を通り光の進行方向に交差する対称軸に関し対称に形成され、かつ対称軸に関し対称に配置され、信号光は、信号光が先頭のフォトニック結晶内を伝播する際、信号光の波長に応じて大きく屈折するように設定された入射角で、先頭のフォトニック結晶に入射するようにしたことを特徴とする分散補償光回路。

IPC (4)：

H04B 10/02 ,  H04B 10/18 ,  G02B 1/02 ,  G02B 6/293

FI (3)：

H04B 9/00 M ,  G02B 1/02 ,  G02B 6/28 B

F-Term (9)：

5K002AA06 ,  5K002AA07 ,  5K002BA02 ,  5K002BA13 ,  5K002BA16 ,  5K002CA01 ,  5K002DA02 ,  5K002DA42 ,  5K002FA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光信号処理回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-288494   Applicant：日本電信電話株式会社
• 光分岐挿入回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-207644   Applicant：日本電気株式会社