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J-GLOBAL ID：200903059005398584

半導体基板及び電界効果型トランジスタ並びにこれらの製造方法

Inventor： 水嶋 一樹
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 志賀 正武 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001186768
Publication number (International publication number)：2003008022
Application date： Jun. 20, 2001
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】 半導体基板及び電界効果型トランジスタ並びにこれらの製造方法において、SOI構造上に貫通転位密度が低く、表面ラフネスが低いSiGe層を有すること。【解決手段】 Si基板1a上に絶縁層1b及び該絶縁層上にSi層1cを備えたSOI基板1と、該SOI基板における前記Si層上のSiGe層2,3とを備え、該SiGe層は、少なくとも一部にGe組成比を表面に向けて漸次増加させた傾斜組成領域2を有する。

Claim (excerpt)：

Si基板上に絶縁層及び該絶縁層上にSi層を備えたSOI基板と、該SOI基板における前記Si層上のSiGe層とを備え、該SiGe層は、少なくとも一部にGe組成比を表面に向けて漸次増加させた傾斜組成領域を有することを特徴とする半導体基板。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/12

FI (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/12 Z ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 E

F-Term (35)：

5F045AA06 ,  5F045AB01 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045DA58 ,  5F052DA01 ,  5F052DA03 ,  5F052GC03 ,  5F052GC05 ,  5F052GC10 ,  5F052JA01 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05 ,  5F110AA01 ,  5F110AA18 ,  5F110BB04 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD30 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG07 ,  5F110GG19 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ13 ,  5F110QQ11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-135037   Applicant：株式会社東芝
• SOI基板の製造方法およびSOI基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-076538   Applicant：コマツ電子金属株式会社, 日本電信電話株式会社, エヌ・ティ・ティ・エレクトロニクステクノロジー株式会社
• SOI基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-177939   Applicant：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社