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J-GLOBAL ID：200903059007093969
インジウムバンプ接続方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992137355
Publication number (International publication number)：1993335375
Application date： May. 29, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：
【要約】【目的】 PDAとCCDとを加熱圧着したのち、Inバンプが冷却サイクル等により剥離を生じない信頼性が高く、強固な接続を可能にする。【構成】 半導体基板上に形成された多数のP・N接合を有するフォトダイオードアレイと、他の半導体基板に形成された信号処理を行う機能素子とを該機能素子側に設けるインジウムバンプにより接続するに際し、前記フォトダイオードアレイの電極上に予め金属めっきを施すことを特徴とするインジウムバンプ接続方法。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成された多数のP・N接合を有するフォトダイオードアレイと、他の半導体基板に形成された信号処理を行う機能素子とを該機能素子側に設けるインジウムバンプにより接続するに際し、前記フォトダイオードアレイの電極上に予め金属めっきを施すことを特徴とするインジウムバンプ接続方法。
IPC (2)：
H01L 21/60 311
, H01L 27/146
