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J-GLOBAL ID：200903059009129502
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993024617
Publication number (International publication number)：1994244286
Application date： Feb. 15, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：
【要約】【目的】多層配線を有する半導体装置の層間絶縁膜の平坦性を向上させ、上層配線の段切れ・くびれ等を防ぎ、信頼性を向上させる。【構成】下層配線3の表面に設けた窒化シリコン膜4の上にシリコンポリイミド樹脂膜5およびフォトレジスト膜9を順次積層して上面を平坦化した後、フォトレジスト膜9およびシリコンポリイミド樹脂膜5を順次エッチバックして窒化シリコン膜4の表面を露出させ下層配線3相互間にシリコンポリイミド樹脂膜5を平坦に埋め込み、その上に酸化シリコン膜6を堆積して上面の平坦な層間絶縁膜を形成することにより、第2の上層配線7のステップカバレージを向上させ、段切れやくびれの発生を防ぐことができる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に設けた絶縁膜の上に複数の下層配線を形成し前記下層配線の表面に下層配線の厚さよりも薄い無機質からなる第1の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第1の層間絶縁膜の上に有機質からなる塗布液を塗布してベーキングし第2の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第2の層間絶縁膜の上にフォトレジスト膜を形成した後前記フォトレジスト膜および第2の層間絶縁膜を順次エッチバックして前記下層配線上の前記第1の層間絶縁膜の表面をちょうど露出させ上面を平坦化する工程と、前記第1および第2の層間絶縁膜の上に無機質からなる第3の層間絶縁膜を形成する工程と、前記下層配線上の前記第3および第1の層間絶縁膜を選択的に等方性エッチングした後異方性エッチングして断面形状が盃上の開孔部を形成する工程と、前記開孔部の下層配線と接続して前記第3の層間絶縁膜上に延在する上層配線を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/90
, H01L 21/312
, H01L 21/318
