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J-GLOBAL ID:200903059030121473

素子故障検出回路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 則近 憲佑
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991279154
Publication number (International publication number):1993122922
Application date: Oct. 25, 1991
Publication date: May. 18, 1993
Summary:
【要約】【目的】 本発明目的は、半導体素子としてGTOを用い、該GTOとダイオードの直列回路でアームが構成される自励式電流形変換器において、GTOが短絡故障したことを速かに検出することができる素子故障検出回路を提供することにある。【構成】 半導体素子としてGTOを用い、該GTOとダイオードの直列回路でアームが構成される自励式電流形変換器において、この自励式電流形変換器の交流電流の正側の通電幅と該通電幅を決定する前記GTOのゲートパルス幅の不一致を検出する手段と、前記自励式電流形変換器の交流電流の負側の通電幅と該通電幅を決定する前記GTOのゲートパルス幅の不一致を検出する手段をそれぞれ具備して成る素子故障検出回路。
Claim (excerpt):
半導体素子としてGTOを用い、該GTOとダイオードの直列回路でアームが構成される自励式電流形変換器において、この自励式電流形変換器の交流電流の正側の通電幅と該通電幅を決定する前記GTOのゲートパルス幅の不一致を検出する手段と、前記自励式電流形変換器の交流電流の負側の通電幅と該通電幅を決定する前記GTOのゲートパルス幅の不一致を検出する手段をそれぞれ具備して成る素子故障検出回路。
IPC (2):
H02M 1/00 ,  H02M 7/155

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