配線パターンの形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993347284
Publication number (International publication number)：1995193355
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】フォトレジストのポストベークおよび薄膜のエッチングの個々の処理工程を経ることなく、かつフォトレジストの剥離性の悪化を招くことなく、能率よく配線パターンを形成することができる配線パターンの形成方法を提供する。【構成】基板11の上にAlあるいはAl系合金の薄膜12を成膜し、この薄膜12の上にポジ型フォトレジスト13を塗布し、このフォトレジスト13を露光し、次いでアルカリ性のレジスト現像液を用い、昇温のもとで前記ポジ型フォトレジスト13を現像し、この現像時に前記アルカリ性のレジスト現像液により前記フォトレジスト13の露光部13′を除去するとともに、その除去部分の下側の薄膜12を前記アルカリ性のレジスト現像液によりエッチングする。

Claim (excerpt)：

基板の上にAlあるいはAl系合金の薄膜を成膜し、この薄膜の上にポジ型フォトレジストを塗布し、このフォトレジストを露光し、次いでアルカリ性のレジスト現像液を用い、昇温のもとで前記ポジ型フォトレジストを現像し、この現像時に前記アルカリ性のレジスト現像液により前記フォトレジストの露光部分を除去するとともに、その除去部分の下側の薄膜を前記アルカリ性のレジスト現像液によりエッチングすることを特徴とする配線パターンの形成方法。

IPC (5)：

H05K 3/06 , G03F 7/40 521 , H01L 21/027 , H01L 21/306 , G02F 1/1343

FI (2)：

H01L 21/30 569 F , H01L 21/306 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平1-302724
特開平4-006284
特開平2-094807

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