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J-GLOBAL ID：200903059044603675

窒化物半導体素子

Inventor： 豊田 達憲 ,  若木 貴功
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997331019
Publication number (International publication number)：1999150299
Application date： Nov. 14, 1997
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】 電流電圧特性が良好でかつ製造が容易な窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 p型導電性を有する窒化ガリウム系半導体層と、上記窒化ガリウム系半導体層上に形成され、該窒化ガリウム系半導体層とオーミック接触する正電極とを備えた窒化物半導体素子であって、上記正電極を、上記窒化ガリウム系半導体層に接して形成されたMoを主成分とする第1の電極層と、該第1の電極層上に形成されたPtを主成分とする第2の電極層とによって構成する。

Claim (excerpt)：

p型導電性を有するp型窒化ガリウム系半導体層と、上記p型窒化ガリウム系半導体層上に形成され、該窒化ガリウム系半導体層とオーミック接触する正電極とを備えた窒化物半導体素子であって、上記正電極が、上記p型窒化ガリウム系半導体層に接して形成されたMoを主成分とする第1の電極層と、該第1の電極層上に形成されたPtを主成分とする第2の電極層とを有してなることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 29/43 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/46 H