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J-GLOBAL ID：200903059055758549

乱流発生構造を有する製品及び製品上に乱流発生構造を設ける方法

Inventor： ウェイン・チャールズ・ハス ,  ロバート・アラン・ジョンソン ,  チン-パン・リー ,  マーク・ジェラルド・レティグ ,  ネジム・アブアフ ,  ジョン・ハワード・スタークウェザー
Applicant, Patent owner： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
Agent (1)： 松本 研一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000133926
Publication number (International publication number)：2001012207
Application date： May. 02, 2000
Publication date： Jan. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 キャビティ内に位置する表面及び容易に接近し得ないその他任意の表面上に乱流発生構造を設けることのできる方法の提供。【解決手段】 ろう合金のごとき接合剤によって基体の表面に接合された乱流発生材料を含む製品が開示される。一つの実施形態に従えば、乱流発生材料は約125〜約4000ミクロンの範囲内の平均粒度を有する離散合金粒子から成る粒子相を含んでいる。別の実施形態に従えば、乱流発生構造を付与するための方法及び乱流発生構造を形成するための製品が開示される。

Claim (excerpt)：

超合金基体と、結合剤によって前記超合金基体の一表面に結合された乱流発生材料とから成ることを特徴とする製品。

IPC (9)：

F01D 5/28 ,  B23K 1/00 330 ,  B23K 1/19 ,  C22C 19/00 ,  C22C 38/00 302 ,  F01D 5/18 ,  F01D 9/02 102 ,  F02C 7/00 ,  F02C 7/18

FI (10)：

F01D 5/28 ,  B23K 1/00 330 P ,  B23K 1/19 Z ,  C22C 19/00 Z ,  C22C 38/00 302 Z ,  F01D 5/18 ,  F01D 9/02 102 ,  F02C 7/00 C ,  F02C 7/00 D ,  F02C 7/18 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 基板表面の修正及び方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-063499   Applicant：モーディーン・マニュファクチャリング・カンパニー