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J-GLOBAL ID：200903059088014952

半導体発光素子の電極形成方法および半導体発光素子

Inventor： 溝上 昭典
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000028452
Publication number (International publication number)：2001217501
Application date： Feb. 04, 2000
Publication date： Aug. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】 処理工程を減らして半導体発光素子の電極形成工程を簡略化する。【解決手段】 化合物半導体からなる半導体積層構造上にスパッタリングにより電極層を形成する際に、高周波パワーを大きくすることにより、電極材料をスパッタリングしながら熱処理を行う。これにより、電極層の形成と同時に、オーミックコンタクトを形成する。

Claim (excerpt)：

化合物半導体からなる半導体積層構造上にスパッタリングにより電極層を形成する際に、高周波パワーを大きくして電極材料をスパッタリングしながら熱処理を行う半導体発光素子の電極形成方法。

IPC (2)：

H01S 5/042 610 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 5/042 610 ,  H01L 33/00 E

F-Term (15)：

5F041AA24 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA73 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F073CA04 ,  5F073CA05 ,  5F073CB22 ,  5F073CB23 ,  5F073DA16 ,  5F073DA30 ,  5F073DA35