Pat

J-GLOBAL ID：200903059089440157

半導体装置の製造方法および半導体装置

Inventor： 川崎 洋司
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (4)： 児玉 俊英 ,  大岩 増雄 ,  竹中 岑生 ,  村上 啓吾
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002172178
Publication number (International publication number)：2004022616
Application date： Jun. 13, 2002
Publication date： Jan. 22, 2004
Summary：

【課題】極浅の不純物領域を所望の箇所に形成することができる半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。【解決手段】半導体基板10上のp型の不純物領域の形成領域を開口する第1のレジスト膜11を形成し、第1のレジスト膜11をマスクとして半導体基板10上にプラズマドーピング法によりp型のドーパンド含有膜12を形成し、半導体基板10上のn型の不純物領域の形成領域を開口する第2のレジスト膜13を形成し、第2のレジスト膜13をマスクとして半導体基板10上にプラズマドーピング法によりn型のドーパンド含有膜14を形成し、両ドーパンド含有膜12、14に対してイオン注入15を行い、ドーパンド含有膜中のドーパンドをイオン注入15によりノックオンして半導体基板10に導入しp型およびn型の不純物領域16、17を形成するものである。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体基板上の不純物領域の形成領域を開口するレジスト膜を形成し、上記レジスト膜をマスクとして上記半導体基板上にプラズマドーピング法によりドーパンド含有膜を形成する工程と、上記ドーパンド含有膜に対してイオン注入を行い、上記ドーパンド含有膜中のドーパンドを上記イオン注入によりノックオンして上記半導体基板に導入し上記不純物領域を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L21/265 ,  H01L29/78

FI (2)：

H01L21/265 K ,  H01L29/78 301S

F-Term (6)：

5F140AA13 ,  5F140BA01 ,  5F140BG08 ,  5F140BH22 ,  5F140BK12 ,  5F140BK13