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J-GLOBAL ID：200903059092167623

薄膜トランジスタ

Inventor： 黒田 康行
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995264214
Publication number (International publication number)：1997107106
Application date： Oct. 12, 1995
Publication date： Apr. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】本発明は、バリアメタル層とソース・ドレイン電極との間の密着性に優れ、しかもトランジスタ特性に優れた薄膜トランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】基板上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して形成された半導体層と、前記半導体層上に形成された透明導電膜で構成されたソース・ドレイン電極とを具備し、前記半導体層と前記ソース・ドレイン電極との間に金属シリサイドからなるバリアメタル層が介在されていることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

基板上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して形成された半導体層と、前記半導体層上に形成された透明導電膜で構成されたソース・ドレイン電極とを具備し、前記半導体層と前記ソース・ドレイン電極との間に金属シリサイドからなるバリアメタル層が介在されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500

FI (2)：

H01L 29/78 616 V ,  G02F 1/136 500