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J-GLOBAL ID：200903059094217792

半導体リレー

Inventor： 葛原 一功 ,  田中 恭史 ,  角 貞幸 ,  高見 茂成
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 安藤 淳二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001164196
Publication number (International publication number)：2002359393
Application date： May. 31, 2001
Publication date： Dec. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】 高周波特性の改善と同時に、小型化及び製造工程の合理化が可能な半導体リレーを提供する。【解決手段】 BGA基板5上にMOSFET6を搭載し、これらを金属突起7を介して、LED2と、光起電力素子3とを搭載した基板1と電気的に接続する一方、BGA実装により、母基板に接続される構成を有し、MOSFET6の搭載部のBGA基板5の真下に形成した埋込スルーホール8、BGA基板1裏面部の電極9及びハンダボール10を介してMOSFET6から外部への電気的接続を行うことにより、2個のMOSFET6相互間の金属ワイヤ接続を無くし、且つ、その配線を太く短く構成することが可能となるため、配線経路中のL成分の影響を小さくし、信号の劣化を低減することができる。また、リードフレームを使用しないため、インピーダンス不整合を大幅に低減することが可能となる。

Claim (excerpt)：

少なくとも、LEDと、光起電力素子とを搭載した第1の基板と、少なくとも、複数のMOSFETを搭載した第2の基板を有する半導体リレーであって、前記MOSFET上の電極に金属突起を形成し、これらの金属突起を介して前記複数のMOSFETと前記第1の基板を電気的に接続するとともに、前記第1の基板と前記第2の基板を金属ワイヤにて別途電気的に接続して成ることを特徴とする半導体リレー。

IPC (6)：

H01L 31/12 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/52 ,  H01L 25/16 ,  H03K 17/78

FI (6)：

H01L 31/12 C ,  H01L 25/16 A ,  H03K 17/78 F ,  H01L 23/12 L ,  H01L 23/52 C ,  H01L 21/88 T

F-Term (24)：

5F033HH07 ,  5F033HH14 ,  5F033MM30 ,  5F033VV07 ,  5F033XX27 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34 ,  5F089AA06 ,  5F089AB01 ,  5F089AB03 ,  5F089AC02 ,  5F089AC11 ,  5F089CA20 ,  5F089EA04 ,  5F089FA10 ,  5J050AA02 ,  5J050AA37 ,  5J050AA47 ,  5J050AA49 ,  5J050BB21 ,  5J050DD01 ,  5J050DD08 ,  5J050FF04 ,  5J050FF10