Pat
J-GLOBAL ID:200903059096679971

ポジ型フォトレジスト組成物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 岩見谷 周志
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997027211
Publication number (International publication number):1998207057
Application date: Jan. 27, 1997
Publication date: Aug. 07, 1998
Summary:
【要約】【課題】現像時の基板との密着性と耐メッキ液性が良好である上に、メッキ液による濡れ性、アルカリ現像液よる現像性、レジスト未露光部の基板からの剥離性に優れ、バンプ形成用材料として好適な厚膜形成に適するポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】(A)アルカリ可溶性のノボラック樹脂100重量部に対して、(B)アルコール性水酸基を有するラジカル重合性化合物単位10〜80重量%、カルボキシル基を有するラジカル重合性化合物単位および/またはフェノール性水酸基を有するラジカル重合性化合物単位3〜50重量%を構成単位として含むアルカリ可溶性のアクリル樹脂5〜50重量部、(C)キノンジアジド基含有化合物5〜100重量部、および(D)溶剤を含有するポジ型フォトレジスト組成物。
Claim (excerpt):
(A)アルカリ可溶性のノボラック樹脂100重量部に対して、(B)アルコール性水酸基を有するラジカル重合性化合物単位10〜80重量%、カルボキシル基を有するラジカル重合性化合物単位および/またはフェノール性水酸基を有するラジカル重合性化合物単位3〜50重量%を構成単位として含むアルカリ可溶性のアクリル樹脂5〜50重量部(C)キノンジアジド基含有化合物5〜100重量部、および(D)溶剤を含有するポジ型フォトレジスト組成物。
IPC (5):
G03F 7/023 511 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/022 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/027
FI (5):
G03F 7/023 511 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/022 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

Return to Previous Page