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J-GLOBAL ID:200903059098120777

SMDモジュールの側面電極形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 今村 辰夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993080454
Publication number (International publication number):1994296076
Application date: Apr. 07, 1993
Publication date: Oct. 21, 1994
Summary:
【要約】【目的】 本発明はSMDモジュールの側面電極形成方法に関し、スルーホールの一部を切削して、側面電極を形成する際、スルーホールメッキの破断、剥がれ、或いはランドの捲れ等が発生しないようにして、良好なSMDモジュールの側面電極を形成可能にすることを目的とする。【構成】 プリント配線基板の基材8にスルーホール用の穴をあけ、穴にスルーホールメッキを行うことにより、プリント配線基板1上に複数のスルーホール11を形成した後、スルーホール11の一部を、切削、又は切断して、残りの部分を側面に露出させ、露出した部分を側面電極5とするSMDモジュールの側面電極形成方法において、スルーホールメッキを行った後、複数のスルーホール11に半田21を埋め込み、半田21を埋め込んだ状態でスルーホール11の一部を切削、または切断するように構成した。
Claim (excerpt):
プリント配線基板の基材(8)に、スルーホール用の穴をあけ、該穴にスルーホールメッキを行うことにより、プリント配線基板(1)上に、複数のスルーホール(11)を形成した後、該スルーホール(11)の一部を、切削、又は切断して、残りの部分を側面に露出させ、露出した部分を、側面電極(5)とするSMDモジュールの側面電極形成方法において、上記スルーホールメッキを行った後、複数のスルーホール(11)に、半田(21)を埋め込み、半田(21)を埋め込んだ状態で、スルーホール(11)の一部を切削、または切断して、残りの部分を側面に露出させることを特徴としたSMDモジュールの側面電極形成方法。
IPC (2):
H05K 3/34 ,  H05K 3/40

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