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J-GLOBAL ID：200903059103346940

光変調素子

Inventor： 田中 英明 ,  鈴木 正敏 ,  松島 裕一
Applicant, Patent owner： 国際電信電話株式会社
Agent (1)： 大塚 学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992175911
Publication number (International publication number)：1993341242
Application date： Jun. 11, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】変調領域の両側に導波路領域を設けることによって、素子の静電容量を小さくし、かつpn接合が空気に曝されないようにした光変調素子を提供する。【構成】n側電極の上に基板とn型クラッド層と変調光導波層が積層され、該変調光導波層の光の進行方向に沿って中央に変調領域が位置しその前後に2つの導波領域がそれぞれ位置して、該変調領域となる該変調光導波層の上にノンドープ層とp型クラッド層とp側電極とが積層され、該2つの導波領域となる該変調光導波層の上に半絶縁性半導体が積層されるように構成されている。

Claim (excerpt)：

n側電極の上に基板とn型クラッド層と変調光導波層とが積層され、該変調光導波層の光の進行方向に沿って中央に変調領域が位置しその前後に2つの導波領域がそれぞれ位置して、該変調領域となる該変調光導波層の上にノンドープクラッド層とp型クラッド層とp側電極とが積層され、該2つの導波領域となる該変調光導波層の上に半絶縁性半導体が積層されるように構成された光変調素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-155309
  
• 特開平2-212804
  
• 特開平1-185612
  
• 特開平3-073905