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J-GLOBAL ID：200903059107587438

半導体装置

Inventor： 伊藤 達志 ,  山中 一人 ,  北村 富士夫 ,  池村 和弘 ,  中尾 稔 ,  木村 英人 ,  多喜 秀彰
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Agent (1)： 西藤 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994290149
Publication number (International publication number)：1995273252
Application date： Jun. 19, 1990
Publication date： Oct. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】耐熱衝撃信頼性および耐半田クラック特性の双方に加えて、耐湿信頼性等の特性にも優れた半導体装置を提供する。【構成】下記の特性(A)および(B)を備えたエポキシ樹脂組成物硬化体により半導体素子が封止された半導体装置である。(A)硬化体中の無機質充填剤の含有容積割合が60容積%以上。(B)硬化体のガラス転移温度が125°C以下。

Claim (excerpt)：

下記の特性(A)および(B)を備えたエポキシ樹脂組成物硬化体により半導体素子が封止されてなる半導体装置。(A)硬化体中の無機質充填剤の含有容積割合が60容積%以上。(B)硬化体のガラス転移温度が125°C以下。

IPC (4)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 59/18 NKK ,  C08L 63/00 NKT

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭49-077943
  
• 特開昭63-251419
  
• 特開平1-268711