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J-GLOBAL ID：200903059108114282

クリーニング方法及び半導体製造装置

Inventor： 飯塚 勝彦 ,  藤村 修三
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991173529
Publication number (International publication number)：1993029285
Application date： Jul. 15, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 プラズマ処理に用いる半導体製造装置の処理室内部のクリーニング方法、及び該クリーニング方法の適用を容易にした半導体製造装置に関し、稼働率及び処理品質を向上するために、処理室内のクリーニングを、汚染物質を残さず効率良く行うことが可能なクリーニング方法及び半導体製造装置を提供することを目的とする。【構成】 プラズマ反応を用いる半導体製造装置の処理室1内に付着した反応生成物の除去に際して、弗素系ガスを主とするガスによるプラズマ処理と、水若しくは水を主とするガスによるプラズマ処理を順次施す工程を含み構成されたクリーニング方法、及び処理室1内を加熱する手段17を備えた半導体製造装置。

Claim (excerpt)：

プラズマ反応を用いる半導体製造装置の処理室内に付着した反応生成物の除去に際して、弗素系ガスを主とするガスによるプラズマ処理と、水若しくは水を主とするガスによるプラズマ処理を順次施す工程を含むことを特徴とするクリーニング方法。

IPC (4)：

H01L 21/302 ,  B08B 7/00 ,  C23C 16/00 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-124530
  
• 特開平2-094522
  
• 特開昭63-070428
  
• 特開平4-323389