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J-GLOBAL ID：200903059127235554

ポジ型レジスト材料

Inventor： 田中 啓順 ,  河合 義夫 ,  松田 維人
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中本 宏 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992060986
Publication number (International publication number)：1993232705
Application date： Feb. 18, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高感度、高解像性、プロセス適用性に優れた高エネルギー線露光用ポジ型レジスト材料を提供する。【構成】 ポリヒドロキシスチレンの水酸基の一部がt-ブトキシカルボニルオキシ基で置換された樹脂(A)、溶解阻害剤(B)、及びオニウム塩(C)の3成分を含む、アルカリ水溶液で現像可能な高エネルギー線感応ポジ型レジストにおいて、該(B)が1分子中に1個以上のt-ブトキシカルボニルオキシ基を含み、該(C)が、一般式(化1):(R)n AM(式中Rは同一又は異なり芳香族基又は置換芳香族基を示し、Aはスルホニウム又はヨードニウムを示す。Mはヘキサフルオロホスフェート基あるいはトリフルオロメタンスルホネート基を示し、nは2又は3を示す)で表されるオニウム塩であり、重量分率が、0.07≦B≦0.40、0.005≦C≦0.15、0.55≦A、A+B+C=1であるレジスト材料。

Claim (excerpt)：

ポリヒドロキシスチレンの水酸基の一部がt-ブトキシカルボニルオキシ基で置換された樹脂(A)、溶解阻害剤(B)、及びオニウム塩(C)の3成分を含む、アルカリ水溶液で現像可能な高エネルギー線感応ポジ型レジストにおいて、該溶解阻害剤(B)が1分子中に1個以上のt-ブトキシカルボニルオキシ基を含み、該オニウム塩(C)が下記式(化1):【化1】(R)n AM(式中Rは同じでも異なってもよく芳香族基あるいは置換芳香族基を示し、Aはスルホニウムあるいはヨードニウムを示す。Mはヘキサフルオロホスフェート基あるいはトリフルオロメタンスルホネート基を示し、nは2又は3を示す)で表されるオニウム塩であり、重量分率が、0.07≦B≦0.40、0.005≦C≦0.15、0.55≦A、A+B+C=1、であることを特徴とするレジスト材料。

IPC (5)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/027 ,  G03F 7/029 ,  H01L 21/027