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J-GLOBAL ID：200903059141169483

ユニバーサルメモリ素子を使用するシステムを有するユニバーサルメモリ素子と、同メモリ素子を読み取り、書き込み、またプログラムするための装置と方法

Inventor： オヴシンスキー、 スタンフォード アール. ,  パシュマコフ、 ボイル
Applicant, Patent owner： エナージー コンバーション デバイセス インコーポレイテッド
Agent (1)： 三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000611284
Publication number (International publication number)：2002541613
Application date： Apr. 12, 2000
Publication date： Dec. 03, 2002
Summary：

【要約】マルチレベル検出不可能状態を有するユニバーサルメモリ素子(302)と、同メモリ素子をプログラムするための方法および装置と、ニューラルネットワーク(320)、人工知能・データ記憶システムにおいて同メモリ素子を実現する方法およびアプリケーション。本ユニバーサルメモリ素子は、メモリ素子を前記高抵抗状態から前記低抵抗状態に切り換えるためには不十分であるが、追加のエネルギーパルスの累積がメモリ素子を前記高抵抗状態から前記低抵抗状態に切り換わるようにメモリ材料を修正するためには十分な一つ以上のサブインターバル・パルスを印加することによってプログラムされる。

Claim (excerpt)：

少なくとも高抵抗状態と検出可能に異なる低抵抗状態とを持っており、セット・エネルギーパルスによって前記高抵抗状態から前記低抵抗状態にセットすることが可能である相変化メモリ材料を有する相変化メモリ素子に情報を記憶し、また検索する暗号化方法であって、 前記メモリ材料を前記高抵抗状態から検出可能に異なる低抵抗状態にセットするには不十分であるが、少なくとも一つのプログラム・エネルギーパルスと少なくとも一つの追加のプログラム・エネルギーパルスとの累積が前記メモリ材料を前記高抵抗状態から検出可能に異なる低抵抗状態にセットするように前記メモリ材料を修正するためには十分である前記少なくとも一つのプログラム・エネルギーパルスを前記相変化メモリ材料に印加することによって、前記メモリ素子に情報を記憶させるステップと、 前記メモリ素子がその検出可能に異なる低抵抗状態に切り換わるまで追加のプログラム・エネルギーパルスを前記メモリ素子に印加することと、前記メモリ素子をその低抵抗状態に切り換えるために印加されたプログラム・エネルギーパルスの数をカウントすることとによって、前記メモリ素子に記憶された情報を検索するステップと を含むことを特徴とする前記方法。

IPC (2)：

G11C 13/00 ,  G11C 13/02

FI (2)：

G11C 13/00 A ,  G11C 13/02