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J-GLOBAL ID：200903059141828673

透明導電薄膜の製造方法

Inventor： 阿相 順一 ,  荒井 芳博
Applicant, Patent owner： 東燃株式会社
Agent (1)： 久保田 耕平 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992161662
Publication number (International publication number)：1993334923
Application date： May. 29, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】 低い抵抗率を有する透明導電薄膜を製造する方法を提供する。【構成】 スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の薄膜形成法によって、亜酸化窒素ガスを1〜60体積%含有するガスの存在下で、基板上に透明導電薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

薄膜形成法によって基板上に透明導電薄膜を製造する方法において、該薄膜形成法を、亜酸化窒素を1〜60体積%含有するガスの存在下で行うことを特徴とする方法。

IPC (4)：

H01B 13/00 503 ,  C23C 14/08 ,  G02F 1/1343 ,  H01B 5/14