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J-GLOBAL ID：200903059148642516
気相成長方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991245022
Publication number (International publication number)：1993062916
Application date： Aug. 30, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 管壁成長を抑制し、表面欠陥の少ない結晶成長を行う。【構成】 上下に区切られた複数のガス導入口1,2を有する横型反応管において、基板結晶と反対側に位置する導入口2より原料成分を含まず、かつ他の導入口1より導入されるキャリアガスより分子量の大きなガスを導入して管壁への原料成分の熱拡散を防止し、管壁成長を抑制する。
Claim (excerpt)：
横型反応管にて上下に区切られた複数の原料導入口から原料成分をガス状物質で結晶基板上に供給する気相成長方法において、結晶基板と反対側に位置する導入口から原料を含まず、且つ、その他の導入口から導入されるキャリアガスより分子量の大きいガスを導入することを特徴とする気相成長方法。
IPC (2)：
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