GaN系半導体発光素子およびランプ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：柿沼伸司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006096340
Publication number (International publication number)：2007273659
Application date： Mar. 31, 2006
Publication date： Oct. 18, 2007
Summary：

【課題】発光特性、及び光取り出し効率に優れた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法およびランプを提供する。【解決手段】凹凸形状が施された透光性を有する基板上に、少なくともバッファー層、n型半導体層、発光層、p型半導体層を有するGaN系半導体発光素子の製造方法において、前記バッファー層を揺動式マグネトロン磁気回路を有するスパッタ装置を用いたスパッタ法により成膜する。また、前記バッファー層をAlN、ZnO、Mg、Hfで形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

凹凸形状が施された透光性を有する基板上に、少なくともバッファー層、n型半導体層、発光層、p型半導体層を有するGaN系半導体発光素子の製造方法であって、前記バッファー層をスパッタ法により成膜することを特徴とするGaN系半導体半導体発光素子の製造方法。

IPC (1)：

H01L 33/00

FI (1)：

H01L33/00 C

F-Term (6)：

5F041AA05 , 5F041CA08 , 5F041CA10 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA77

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特許第2836687号公報
単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-218384 Applicant：京セラ株式会社

Cited by examiner (4)

半導体結晶の結晶成長方法、光半導体素子、及び結晶成長基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-215462 Applicant：豊田合成株式会社
発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-168773 Applicant：豊田合成株式会社
マグネトロンスパッタリング装置及びスパッタリング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-291097 Applicant：信越化学工業株式会社

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