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J-GLOBAL ID：200903059159647625

半導体記憶装置

Inventor： 市口 哲一郎
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992225866
Publication number (International publication number)：1994076594
Application date： Aug. 25, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体記憶装置のリペアイネーブル(救済)率向上が目的である。【構成】 半導体記憶装置の置換用予備のメモリセル群12、13(冗長行、冗長列)をメモリセルアレイ1の最外周以外に配置して、レイアウト構成、回路構成をおこなう。

Claim (excerpt)：

冗長メモリセルをメモリセルアレイの中央部分に配置したことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4)：

G11C 29/00 301 ,  G11C 11/401 ,  H01L 21/82 ,  H01L 27/108

FI (3)：

G11C 11/34 371 D ,  H01L 21/82 R ,  H01L 27/10 325 R