磁性薄膜メモリ素子および磁性薄膜メモリ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：皿田秀夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998301614
Publication number (International publication number)：2000113666
Application date： Oct. 08, 1998
Publication date： Apr. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】速い速度で書き込み・消去を行い、さらに高速アクセス可能とし、読み出し時のSN比が高い不揮発性の磁性薄膜メモリ素子および磁性薄膜メモリを提供する。【解決手段】所定の間隔を開けて平面配置または積層配置された第1磁性膜および第2磁性膜と、これらの第1磁性膜もしくは第2磁性膜に隣接して配置されるか、または、これらの第1磁性膜と第2磁性膜の間に介在された検出部分と、前記第2磁性膜の磁化方向を反転させるための磁化手段と、前記第2磁性膜の保磁力を減少させるように作用する加熱手段とを備える磁性薄膜メモリ素子であって、前記第1磁性膜の保磁力は、第2磁性膜の保磁力と比較してそれより大きく、かつ予め所定の一方向に磁化されており、前記磁化手段および加熱手段により第2磁性膜の磁化方向を反転制御して書き込みおよび消去の状態を作りだし、前記第2磁性膜の磁化方向を前記検出部分で検出することで読み出しが行えるようにしてなるように構成する。

Claim (excerpt)：

所定の間隔を開けて平面配置または積層配置された第1磁性膜および第2磁性膜と、これらの第1磁性膜もしくは第2磁性膜に隣接して配置されるか、または、これらの第1磁性膜と第2磁性膜の間に介在された検出部分と、前記第2磁性膜の磁化方向を反転させるための磁化手段と、前記第2磁性膜の保磁力を減少させるように作用する加熱手段とを備える磁性薄膜メモリ素子であって、前記第1磁性膜の保磁力は、第2磁性膜の保磁力と比較してそれより大きく、かつ予め所定の一方向に磁化されており、前記磁化手段および加熱手段により第2磁性膜の磁化方向を反転制御して書き込みおよび消去の状態を作りだし、前記第2磁性膜の磁化方向を前記検出部分で検出することで読み出しが行えるようにしてなることを特徴とする磁性薄膜メモリ素子。

IPC (3)：

G11C 11/15 , H01F 10/08 , H01F 10/26

FI (3)：

G11C 11/15 , H01F 10/08 , H01F 10/26

F-Term (14)：

5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AA09 , 5E049AC00 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5E049CB02 , 5E049DB04 , 5E049DB14 , 5E049EB01 , 5E049GC01 , 5E049HC01 , 5E049LC01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

特開平4-023293

Cited by examiner (1)

特開平4-023293

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