配線構造、及び配線構造の形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高月亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993321833
Publication number (International publication number)：1995176531
Application date： Dec. 21, 1993
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 Cu,Ag,Auなどの低抵抗配線材料の問題である、密着性不良及び酸化の問題を解決して、低抵抗で、エレクトロマイグレーションに強い低抵抗配線構造及びその形成方法を提供する。【構成】 ?@基板1上に形成したCu,Ag,Auなどの低抵抗配線材料3から成る配線の全面を、Al膜もしくはAlを主材料とする合金膜2,4,60で被覆した配線構造。?A基板上にAl膜もしくはAlを主材料とする合金及び低抵抗材料から成る配線形成後、再度AlもしくはAlを主材料とする合金を成膜する。?B下層絶縁膜に溝を穿設した後、AlもしくはAlを主材料とする合金及び低抵抗材料を埋め込むことにより低抵抗配線構造を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に形成した低抵抗配線材料から成る配線の全面を、Al膜もしくはAlを主材料とする合金膜で被覆したことを特徴とする配線構造。

FI (3)：

H01L 21/88 R , H01L 21/88 N , H01L 21/88 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開昭53-116089
特開昭63-076455
特開平1-187973

Show all

Return to Previous Page