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J-GLOBAL ID：200903059174739803

配線基板

Inventor： 古久保 洋二 ,  山口 浩一 ,  浜田 紀彰 ,  東 昌彦 ,  米倉 秀人 ,  民 保秀 ,  柳田 司
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996014529
Publication number (International publication number)：1997208299
Application date： Jan. 30, 1996
Publication date： Aug. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】有機樹脂を含有する外部電気回路基板に対する電気的接続が不安定であり、また高熱膨張の絶縁基板を高品質で且つ安価に製造する方法について検討されていない。【解決手段】Cuなどのメタライズ配線層を絶縁基板の表面あるいは内部に配設したパッケージ等の配線基板において、絶縁基板1をリチウム珪酸ガラスを20〜80体積%と、40°C〜400°Cにおける熱膨張係数が6ppm/°C以上の金属酸化物を含むフィラーを80〜20体積%の割合で含む成形体を焼成して得られ、結晶相として少なくともリチウム珪酸結晶相を含む焼結体であって、該焼結体のX線回折測定チャートにおいて、Li2 Si2 O5 の(111)面のピーク強度をI1 、Li2 SiO3 の(020)面のピーク強度をI2 とした時、I1/(I1 +I2 )で表されるピーク強度比が0.85以上であり、且つ40°C〜400°Cにおける熱膨張係数が8〜18ppm/°Cのセラミック焼結体により構成する。

Claim (excerpt)：

絶縁基板と、メタライズ配線層を具備する配線基板において、前記絶縁基板が、リチウム珪酸ガラスを20〜80体積%と、40°C〜400°Cにおける熱膨張係数が6ppm/°C以上の金属酸化物を含むフィラーを80〜20体積%の割合で含む成形体を焼成して得られ、結晶相として少なくともリチウム珪酸結晶相を含む焼結体であって、該焼結体のX線回折測定チャートにおいて、Li2 Si2 O5 の(111)面のピーク強度をI1 、Li2 SiO3 の(020)面のピーク強度をI2 とした時、I1 /(I1 +I2 )で表されるピーク強度比が0.85以上であり、且つ40°C〜400°Cにおける熱膨張係数が8〜18ppm/°Cのセラミック焼結体からなることを特徴とする配線基板。

IPC (4)：

C04B 35/16 ,  H01L 23/14 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 3/46

FI (4)：

C04B 35/16 Z ,  H05K 1/03 610 D ,  H05K 3/46 T ,  H01L 23/14 M