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J-GLOBAL ID：200903059175056262

気相からの低誘電率多孔質シリカ膜の形成方法

Inventor： 内田 恭敬
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 西 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999074442
Publication number (International publication number)：2000269208
Application date： Mar. 18, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】多層配線装置等に用いる比誘電率を制御できる可能性が大きい多孔質シリカ膜の形成方法の開発。【構成】化学気相成長法によりシリコン系絶縁膜を基板に堆積する方法において、シアネート基を有するシリコン系原料、メチル基以外のアルキル基を少なくとも有するシリコン系原料、および第3種アミンを原料とするガスを反応室中に導入して反応させて、シリコン系絶縁膜を基板に堆積し、このシリコン系絶縁膜を熱処理してメチル基よりも脱離温度の低いアルキル基を絶縁膜から除去する。

Claim (excerpt)：

化学気相成長法によりシリコン系絶縁膜を基板に堆積する方法において、シアネート基を有するシリコン系原料、メチル基以外のアルキル基を少なくとも有するシリコン系原料、および第3種アミンを原料とするガスを反応室中に導入して反応させてシリコン系絶縁膜を基板に堆積し、このシリコン系絶縁膜を熱処理してメチル基よりも脱離温度の低いアルキル基を絶縁膜から除去することを特徴とする低誘電率多孔質シリカ膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/42

FI (3)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P ,  C23C 16/42

F-Term (19)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA18 ,  4K030BA29 ,  4K030BA44 ,  4K030BA61 ,  4K030DA09 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AC10 ,  5F058AF01 ,  5F058AG01 ,  5F058AG10 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02