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J-GLOBAL ID：200903059175624040

絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法

Inventor： 桜井 直樹
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 鈴木 市郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001056958
Publication number (International publication number)：2002261281
Application date： Mar. 01, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】 漏れ電流が少なく高耐圧のIGBTが容易に得られるようにした製造方法を提供すること。【解決手段】 IGBTを以下のプロセスにより製造する。(2) ウエハWをにn層2をイオン注入及び拡散により形成する。(3) 上記ウエハWに他のウエハ20を張り合わせる。(4) 上記ウエハのn層を形成した面とは逆の面から所定の厚さに研削する。(5) 上記、研削したウエハの一方の面にMOSFET素子を形成する。(6) 張り合わせたウエハを取り外す。(7) 研削したウエハWの他方の面にイオン注入してp層5を形成し、コレクタ電極を形成する。【効果】n層をMOS形成前に形成するため、拡散温度が高くでき、n層ドープ用の不純物の活性化率が高くなるので、イオン注入による結晶欠陥が少なくでき、この結果、漏れ電流が小さくできる。また、深いn層が形成できるため、パンチスルーし難くなり、高耐圧が得られる。

Claim (excerpt)：

半導体層の一方の面に絶縁ゲート型電界効果トランジスタ素子が形成され、他方の面にパンチスルー層を備えたパンチスルー型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法において、前記パンチスルー層の形成プロセスを、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタ素子の形成プロセスの前に設けたことを特徴とする絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/78 655 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 655 A ,  H01L 29/78 658 K