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J-GLOBAL ID：200903059180684760

グラファイトナノチューブ付き基体デバイス及びその製造方法

Inventor： 吉田 功
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 光田 敦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999261181
Publication number (International publication number)：2001089251
Application date： Sep. 14, 1999
Publication date： Apr. 03, 2001
Summary：

【要約】【課題】 簡単な製造装置により低コストでグラファイトナノチューブを基体上に形成し、基体に制御回路を直接形成可能とする。【解決手段】 SiCから成る基体8を、真空雰囲気中で加熱し熱分解し、この結果生じる炭素を、基体8上に予めパターニングされて付与されている成長核となる金属部13にのみ吸着、析出させて、基体上に任意のパターン化されて形成されたグラファイトナノチューブ15を形成する。

Claim (excerpt)：

SiCから成る基体と、該基体上に形成されたグラファイトナノチューブとを有するグラファイトナノチューブ付き基体デバイスであって、上記グラファイトナノチューブは、上記基体が真空雰囲気中で加熱され熱分解されて生じる炭素が、上記基体上に予めパターニングされて付与されている成長核となる金属部にのみ吸着されてパターン化されて形成されたものであることを特徴とするグラファイトナノチューブ付き基体デバイス。

IPC (6)：

C04B 35/64 ,  H01J 1/304 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 ,  C01B 31/02 101

FI (6)：

H01J 9/02 B ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  C01B 31/02 101 F ,  C04B 35/64 Z ,  H01J 1/30 F

F-Term (11)：

4G046CA00 ,  4G046CB03 ,  4G046CB08 ,  4G046CB09 ,  4G046CC06 ,  5C031DD09 ,  5C031DD19 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EG02 ,  5C036EG12