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J-GLOBAL ID：200903059182102970

半導体発光素子

Inventor： 尺田 幸男 ,  中田 俊次 ,  園部 雅之 ,  筒井 毅 ,  伊藤 範和
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 河村 洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996326330
Publication number (International publication number)：1998173219
Application date： Dec. 06, 1996
Publication date： Jun. 26, 1998
Summary：

【要約】【課題】 所望の発光波長より短い波長の光をカットして、所望の波長の純粋な光を発光する半導体発光素子を提供する。【解決手段】 基板1上に半導体層が積層されて発光層(活性層4)を形成し、該積層された半導体層の表面から所望の波長の光を放射する半導体発光素子であって、前記所望の波長の光を発生させるバンドギャップエネルギーより大きく、かつ、発光する光の一部を吸収し得る半導体からなるフィルタ層6が、前記積層された半導体層の表面側に設けられている。

Claim (excerpt)：

基板上に半導体層が積層されて発光層を形成し、該積層された半導体層の表面から所望の波長の光を放射する半導体発光素子であって、前記所望の波長の光を発生させるバンドギャップエネルギーより大きく、かつ、前記発光層で発光する光の一部を吸収し得る半導体からなるフィルタ層が、前記積層された半導体層の表面側に設けられてなる半導体発光素子。