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J-GLOBAL ID：200903059188172172

超電導トランジスタ及びその作動方法

Inventor： 樽谷 良信 ,  深沢 徳海 ,  樺沢 宇紀 ,  赤松 正一 ,  塚本 晃 ,  平谷 正彦 ,  須賀 三雄 ,  岡本 政邦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992023558
Publication number (International publication number)：1993226711
Application date： Feb. 10, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】任意の電極間距離に対して超電導電流が得られる超電導トランジスタ及びその作動方法を提供すること。【構成】銅酸化物系の材料からなるチャネル層52、銅酸化物系の材料からなる2個のソース及びドレイン超電導電極53,54及び酸化物絶縁膜を介してチャネル層の上に設けられ、チャネル層の超電導状態、常伝導状態間の転移を制御するためのゲート電極56を有する超電導トランジスタ。この超電導トランジスタは、ゲート電極56に電圧を印加し、チャネル層52の常伝導状態を超電導状態に転移させ、2個の超電導電極間に超電導電流を流すか又はその逆を行って動作させる。

Claim (excerpt)：

銅酸化物系の材料からなるチャネル層、銅酸化物系の材料からなる2個の超電導電極及び酸化物絶縁膜を介して該チャネル層の上に設けられ、該チャネル層の超電導状態、常伝導状態間の転移を制御するためのゲート電極を有することを特徴とする超電導トランジスタ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-292877
  
• 特開平1-102974