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J-GLOBAL ID：200903059194160011

水素センサ

Inventor： スヴェン ヨンダ ,  ハンス マイクスナー
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000547463
Publication number (International publication number)：2002513930
Application date： Apr. 01, 1999
Publication date： May. 14, 2002
Summary：

【要約】本発明は、温度依存性水素感受性半導体層および水素を選択的に透過する層を有する水素センサに関する。本発明によれば半導体層はチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)とその温度感受性の補償のためにそれに関連するチタン酸ストロンチウム層からなり、該層は選択的に水素をフィルタする外層で被覆されており、かつ第1の半導体層と異なる電動特性プロフィールを有する。外層は二酸化ケイ素(SiO2)または窒化ケイ素(Si3N4)からなる。チタン酸ストロンチウム層は酸素雰囲気中で焼成および/またはアニーリングされる。

Claim (excerpt)：

温度依存性水素感受性半導体層および選択的水素透過性の外層を有する水素センサにおいて、半導体層がチタン酸ストロンチウムSrTiO3からなり、その温度感受性の補償のためにもう1つのチタン酸ストロンチウム層が配置されており、該層に選択的に水素をフィルタする外層が被覆されており、かつ第1の半導体層とは異なる電導特性プロフィールの経過を有することを特徴とする水素センサ。

F-Term (17)：

2G046AA05 ,  2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BD03 ,  2G046BD06 ,  2G046CA09 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046EA10 ,  2G046FB00 ,  2G046FB01 ,  2G046FB06 ,  2G046FC01 ,  2G046FE38 ,  2G046FE40 ,  2G046FE44