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J-GLOBAL ID:200903059215060489
有機エレクトロルミネセンス・デバイス用の注入層または接触電極あるいはその両方としての非縮退広バンドギャップ半導体
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
坂口 博 (外1名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1998500353
Publication number (International publication number):1999511895
Application date: Jun. 05, 1996
Publication date: Oct. 12, 1999
Summary:
【要約】基板(60)、陽極接触電極(64)、陰極接触電極(61)、および前記陽極(64)と陰極(61)の間に電圧が印加された場合にエレクトロルミネセンスが発生する有機領域(62、63)を含む有機発光デバイスが提供される。前記電極(61、64)の少なくとも一方は、非縮退広バンドギャップ半導体を含む。
Claim (excerpt):
a)基板と、 b)一方が陽極として働き、他方が陰極として働く2つの接触電極と、 c)前記2つの接触電極の間に電圧を印加した場合に、エレクトロルミネセンスが発生する有機領域とを含み、 前記接触電極のうちの少なくとも一方が、非縮退広バンドギャップ半導体を含み、前記陰極が前記非縮退広バンドギャップ半導体を含む場合には、電子が前記非縮退広バンドギャップ半導体の伝導帯(CB)から前記有機領域のLUMOに注入され、また前記陽極が前記非縮退広バンドギャップ半導体を含む場合には、正孔が前記非縮退広バンドギャップ半導体の価電子帯(CB)から前記有機領域のHOMOに注入される有機発光デバイス。
IPC (3):
H05B 33/26
, H05B 33/14
, H05B 33/22
FI (3):
H05B 33/26 Z
, H05B 33/14 A
, H05B 33/22 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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