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J-GLOBAL ID：200903059226994963
多層導波路形再生専用メモリーカード
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
光石 俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998148923
Publication number (International publication number)：1999337756
Application date： May. 29, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：
【要約】【課題】 高精度な膜厚制御を必要としないで、大容量の記憶システムを構築することが可能な多層導波路形再生専用メモリーカードを提供するにある。【解決手段】 平面型光導波路1,2を多層に重ねて作られ、かつ、光を導波路に結合させる面が導波路平面の法線に対し45°に傾いている構造をもつ多層導波路において、各導波路層1に屈折率揺らぎ、若しくは、凹凸による散乱要因を形成することで導波路平面から導波路外に漏れ出す散乱光を作り、その散乱光の発生位置をレンズ6と二次元受光素子4を用いて二次元パターン情報として取り出すことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
平面型光導波路を多層に重ねて作られ、かつ、光を導波路に結合させる面が導波路平面の法線に対し45°に傾いている構造をもつ多層導波路において、各導波路層に屈折率揺らぎ、若しくは、凹凸による散乱要因を形成することで導波路平面から導波路外に漏れ出す散乱光を作り、その散乱光の発生位置をレンズと二次元受光素子を用いて二次元パターン情報として取り出すことを特徴とする多層導波路形再生専用メモリーカード。
IPC (3)：
G02B 6/122
, G06K 19/06
, G11B 7/24 572
G02B 6/12 C
, G11B 7/24 572 Z
, G06K 19/00 D
