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J-GLOBAL ID：200903059238916542

誘電体薄膜の製造方法及びその製造装置

Inventor： 小牧 一樹 ,  北川 雅俊 ,  鎌田 健 ,  林 重徳 ,  平尾 孝
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993319606
Publication number (International publication number)：1995172996
Application date： Dec. 20, 1993
Publication date： Jul. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 成長初期状態の被膜の結晶性を改善することにより、従来よりも薄膜化して結晶性の良い(Pb1-x Lax )Ti1-x/4 O3 薄膜を得る。【構成】 Pb、Ti及びLaの金属ターゲットを用い、各ターゲットにArイオンビームを照射してスパッタすることにより、酸素ガス雰囲気中(〜6×10-5Torr)でMgO基板4の上にバッファ層としてのPLT薄膜を200オングストロームの膜厚で形成する。このバッファ層の上に、マグネトロンスパッタ法によって800オングストロームのPLT薄膜を、RF電力=900W、基板温度=590°C、ガス圧=0.1Pa、Ar/O2 ガス流量比=25/1sccm/sccmの成膜条件下で堆積する。

Claim (excerpt)：

基板上にペロブスカイト型複合化合物である(Pb1-x Lax)Ti1-x/4 O3 薄膜を堆積させる誘電体薄膜の製造方法であって、薄膜堆積前に基板上にイオンビームスパッタ法により(Pb1-x Lax )Ti1-x/4 O3 のバッファ層を形成し、その上に(Pb1-x Lax )Ti1-x/4 O3 薄膜を堆積させることを特徴とする誘電体薄膜の製造方法。

IPC (14)：

C30B 29/32 ,  C01G 23/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/46 ,  C30B 23/08 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/12 400 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 41/24 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (4)：

H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 41/22 A ,  H01L 27/10 325 J