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J-GLOBAL ID:200903059238916542

誘電体薄膜の製造方法及びその製造装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993319606
Publication number (International publication number):1995172996
Application date: Dec. 20, 1993
Publication date: Jul. 11, 1995
Summary:
【要約】【目的】 成長初期状態の被膜の結晶性を改善することにより、従来よりも薄膜化して結晶性の良い(Pb1-x Lax )Ti1-x/4 O3 薄膜を得る。【構成】 Pb、Ti及びLaの金属ターゲットを用い、各ターゲットにArイオンビームを照射してスパッタすることにより、酸素ガス雰囲気中(〜6×10-5Torr)でMgO基板4の上にバッファ層としてのPLT薄膜を200オングストロームの膜厚で形成する。このバッファ層の上に、マグネトロンスパッタ法によって800オングストロームのPLT薄膜を、RF電力=900W、基板温度=590°C、ガス圧=0.1Pa、Ar/O2 ガス流量比=25/1sccm/sccmの成膜条件下で堆積する。
Claim (excerpt):
基板上にペロブスカイト型複合化合物である(Pb1-x Lax)Ti1-x/4 O3 薄膜を堆積させる誘電体薄膜の製造方法であって、薄膜堆積前に基板上にイオンビームスパッタ法により(Pb1-x Lax )Ti1-x/4 O3 のバッファ層を形成し、その上に(Pb1-x Lax )Ti1-x/4 O3 薄膜を堆積させることを特徴とする誘電体薄膜の製造方法。
IPC (14):
C30B 29/32 ,  C01G 23/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/46 ,  C30B 23/08 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/12 400 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 41/24 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108
FI (4):
H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 41/22 A ,  H01L 27/10 325 J

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