Pat

J-GLOBAL ID：200903059250127154

薄膜の欠陥検出方法及びその装置

Inventor： 本庄 禎治 ,  石川 博一 ,  北川 浩司
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 岡▲崎▼ 信太郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998351354
Publication number (International publication number)：2000174083
Application date： Dec. 10, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：

【要約】【課題】 薄膜の微少欠陥を定量的に評価することができる薄膜の欠陥検出方法及びその装置を提供すること。【解決手段】 基板1の上に形成されている前記絶縁膜IFの欠陥を検出する薄膜の欠陥検出方法において、前記基板1の上に前記絶縁膜IFを形成し、前記絶縁膜IFの上に第1導電膜MFを形成し、前記基板1及び前記第1導電膜MFに通電して、前記絶縁膜IFの欠陥を検出する。

Claim (excerpt)：

導電体からなる基板の上に形成されている絶縁膜の欠陥を検出する薄膜の欠陥検出方法において、前記基板の上に前記絶縁膜を形成し、前記絶縁膜の上に導電膜を形成し、前記基板及び前記導電膜に通電して、前記絶縁膜の欠陥を検出することを特徴とする薄膜の欠陥検出方法。

IPC (3)：

H01L 21/66 ,  G01N 27/20 ,  G01N 27/92

FI (3)：

H01L 21/66 N ,  G01N 27/20 Z ,  G01N 27/92 Z

F-Term (18)：

2G060AA09 ,  2G060AA20 ,  2G060AE02 ,  2G060AF01 ,  2G060AF07 ,  2G060AG06 ,  2G060AG08 ,  2G060AG11 ,  2G060EB05 ,  2G060EB06 ,  2G060EB07 ,  2G060GA01 ,  4M106AA01 ,  4M106AA12 ,  4M106BA14 ,  4M106DH04 ,  4M106DH16 ,  4M106DH60