貼り合わせSOIウエーハの製造方法および貼り合わせSOIウエーハ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000043764
Publication number (International publication number)：2001144275
Application date： Feb. 22, 2000
Publication date： May. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】結晶欠陥の少ないウエーハ表面粗さの優れた高品質のSOI層を有するSOIウェーハを、高生産性、高歩留、低コストで得る。【解決手段】貼り合わせSOIウエーハの製造方法において、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶棒を育成し、該単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウエーハに加工した後、該シリコン単結晶ウエーハに非酸化性雰囲気下で1100〜1300°Cの温度の熱処理を1分以上加え、700°C未満の温度に冷却することなく連続して酸化性雰囲気で700〜1300°Cの温度の熱処理を1分以上加えることにより表面にシリコン酸化膜が形成されたシリコン単結晶ウエーハを作製し、これをボンドウエーハとして用いる貼り合わせSOIウエーハの製造方法。およびこの方法で製造された貼り合わせSOIウエーハ。

Claim (excerpt)：

ボンドウエーハとベースウエーハとを酸化膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウエーハを薄膜化する貼り合わせSOIウエーハの製造方法において、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶棒を育成し、該単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウエーハに加工した後、該シリコン単結晶ウエーハに非酸化性雰囲気下で1100〜1300°Cの温度の熱処理を1分以上加え、700°C未満の温度に冷却することなく連続して酸化性雰囲気で700〜1300°Cの温度の熱処理を1分以上加えることにより表面にシリコン酸化膜が形成されたシリコン単結晶ウエーハを作製し、該ウエーハを前記ボンドウエーハとして用いることを特徴とする貼り合わせSOIウエーハの製造方法。

IPC (5)：

H01L 27/12 , C30B 29/06 502 , H01L 21/02 , H01L 21/316 , H01L 21/324

FI (5)：

H01L 27/12 B , C30B 29/06 502 C , H01L 21/02 B , H01L 21/316 S , H01L 21/324 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

SOI基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-358759 Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社
シリコン酸化膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-141874 Applicant：沖電気工業株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-148755 Applicant：株式会社日立製作所

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Smart Cut(R) SOI技術の進捗と動向

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