Pat
J-GLOBAL ID：200903059264157064
密閉状態を確証するプロセス及びそのための半導体デバイス
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999169639
Publication number (International publication number)：2000135700
Application date： Jun. 16, 1999
Publication date： May. 16, 2000
Summary：
【要約】【課題】 不適切な密閉状態のデバイスを簡単且つ自動的に同定する。【解決手段】 保護膜処理されていないむき出しのPN接合ダイオード(20)をセンサ構造体(14)を備えるデバイスウェハ(10)に形成する。次にデバイスウェハ(10)をキャッピングウェハ(12)に結合し、両ウェハ間に画成されたキャビティ(16)内部にPN接合ダイオード(20)及びマイクロマシン(14)を閉じ込める。次にPN接合ダイオード(20)に逆方向電流を流してその逆方向ダイオード特性を決定する。このため、既知の値の電圧をダイオード(20)に印加して逆方向の漏れ電流を測定するか、又は、既知の値の逆方向電流をダイオード(20)に流して電圧を測定する。十分な湿気がキャビティ(16)内部に存在する場合、保護膜処理されていないダイオード(20)は不安定な電流/電圧値を示すので、キャビティ(16)の密閉状態を判断できる。
Claim (excerpt)：
キャビティ(16)をその間に画成する2つの結合されたウェハ(10,12)の間の密閉状態を検査するための方法であって、前記方法は、半導体基板(10)にむき出しのPN接合ダイオード(20)を形成し、デバイスウェハ(10)をキャッピングウェハ(12)に結合して、前記PN接合ダイオード(20)を、前記デバイスウェハ(10)及び前記キャッピングウェハ(12)により両ウェハ間に画成されるキャビティ(16)の内部に閉じ込め、次に、前記PN接合ダイオード(20)に逆方向電流を流し、前記キャビティ(16)の内部に存在する湿気の示度として、前記逆方向電流を測定するか、又は、前記逆方向電流により引き起こされる電圧を測定する、各工程を含む、前記方法。
IPC (5)：
B81C 5/00
, G01B 7/14
, G01C 19/56
, G01L 9/04 101
, G01P 15/08
B81C 5/00
, G01B 7/14 Z
, G01C 19/56
, G01L 9/04 101
, G01P 15/08 P
