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J-GLOBAL ID：200903059267275319

半導体記憶装置およびその製造方法

Inventor： 畑中 正宏
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992298792
Publication number (International publication number)：1994151750
Application date： Nov. 09, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】 キャパシタ容量を増大させ、かつ、隣接する記憶素子間のリーク電流を防止し、高集積化に適した半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。【構成】 ソースまたはドレインとなる不純物を含有した拡散層4の上に、所定の条件で化学的気相成長法により高融点金属膜6を形成すると、その表面に凹凸形状が形成される。高融点金属膜6を、記憶素子を構成するキャパシタのキャパシタ電極とする。

Claim (excerpt)：

情報の記憶を電荷の蓄積の形で行なう半導体記憶装置であって、主表面を有する第1導電型の半導体基板と、前記主表面上に間を隔てて形成された前記第1導電型と異なる第2導電型の第1の不純物領域および第2の不純物領域と、前記第1の不純物領域と前記第2の不純物領域との間の前記主表面上に形成された導電層と、前記第1の不純物領域または前記第2の不純物領域に接してその上に設けられ、表面に凹凸形状を有する高融点金属からなる第1のキャパシタ電極と、前記第1のキャパシタ電極の前記表面上に形成された絶縁層と、前記絶縁層の表面上に形成された第2のキャパシタ電極と、を含む半導体記憶装置。

IPC (2)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04