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J-GLOBAL ID：200903059268545638

プラズマCVD法およびそれに用いる装置

Inventor：
新楽 浩一郎

About 新楽 浩一郎

, 
白間 英樹

About 白間 英樹

, 
古茂田 学

About 古茂田 学


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000130858
Publication number (International publication number)：2001313272
Application date： Apr. 28, 2000
Publication date： Nov. 09, 2001
Summary：
【要約】【課題】 従来のプラズマCVD法は、高速製膜が困難であったり、プラズマダメージが大きかったり、大面積化が困難であるという問題があるとともに、従来の触媒CVD法では、基板の温度制御が困難であったり、欠陥密度が低い高品質な膜が得られにくいという問題があった。【解決手段】 チャンバー内に導入された原料ガスをプラズマで活性化させてこの原料ガス中の成分を被着基板上に堆積させるプラズマCVD法において、上記原料ガスの経路における上記プラズマ発生領域よりも上流側にタングステンもしくはタンタルからなる熱触媒体を配設して上記原料ガス中の成分を上記被着基板上に堆積させる。
Claim (excerpt)：
チャンバー内に導入された原料ガスをプラズマで活性化させてこの原料ガス中の成分を被着基板上に堆積させるプラズマCVD法において、前記原料ガスの経路における前記プラズマ発生領域よりも上流側にタングステンもしくはタンタルからなる熱触媒体を配設して前記原料ガス中の成分を前記被着基板上に堆積させることを特徴とするプラズマCVD法。
IPC (5)：
H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/452 ,  C23C 16/509 ,  H01L 31/04
FI (5)：
H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 Z ,  C23C 16/452 ,  C23C 16/509 ,  H01L 31/04 X
F-Term (21)：
4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB03 ,  4K030EA01 ,  4K030FA03 ,  4K030FA14 ,  4K030KA17 ,  4K030KA25 ,  4K030KA30 ,  4K030LA16 ,  4M104BB01 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104HH20 ,  5F051AA03 ,  5F051AA16 ,  5F051BA12 ,  5F051BA14 ,  5F051CB12 ,  5F051CB29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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