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J-GLOBAL ID：200903059271578725

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 上野 博
Applicant, Patent owner： クラリオン株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994071543
Publication number (International publication number)：1995254632
Application date： Mar. 15, 1994
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ワイヤボンディング法を不要にし、かつバンプ電極を用いないで半導体素子を基板に電気的に接続するようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 複数の電極2が表面に設けられた基板1と、複数の電極2に対応する複数の電極4が表面に設けられこれら複数の電極4が基板1の複数の電極2に対向するように配置された半導体素子3と、基板1の複数の電極2と半導体素子3の複数の電極4との対応するもの同士を各々電気的に接続する導電体5とを有するように構成する。

Claim (excerpt)：

複数の電極が表面に設けられた基板と、前記複数の電極に対応する複数の電極が表面に設けられこれら複数の電極が前記基板の複数の電極に対向するように配置された半導体素子と、前記基板の複数の電極と前記半導体素子の複数の電極との対応するもの同士を各々電気的に接続する導電体とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/52