Pat

J-GLOBAL ID：200903059278534499

選択エッチング方法ならびに光電子素子およびその製造方法

Inventor： 成井 二三代 ,  小沢 正文
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994074389
Publication number (International publication number)：1994342960
Application date： Mar. 18, 1994
Publication date： Dec. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ZnSe、ZnTe、ZnSSeまたはZnMgSSe系化合物半導体の選択エッチングを良好な制御性および再現性で行う。【構成】 被エッチング層としてのZnSe、ZnTe、ZnSSeまたはZn<SB>1-a </SB>Mg<SB>a </SB>S<SB>b </SB>Se<SB>1-b </SB>(0<a<1、0<b<1)層6、7を反応性イオンエッチング法などのドライエッチング法により選択的にエッチングする際に、Zn<SB>1-x </SB>Mg<SB>x </SB>S<SB>y </SB>Se<SB>1-y </SB>(0<x<1、0<y<1、a<x)層5をエッチングストップ層として用いる。この選択エッチング方法を用いて半導体レーザーなどの光電子素子を製造する。

Claim (excerpt)：

Zn<SB>1-x </SB>Mg<SB>x </SB>S<SB>y </SB>Se<SB>1-y </SB>(0<x<1、0<y<1)系化合物半導体から成るエッチングストップ層上にZnSe、ZnTe、ZnSSeまたはZn<SB>1-a </SB>Mg<SB>a </SB>S<SB>b </SB>Se<SB>1-b </SB>(0<a<1、0<b<1、a<x)系化合物半導体から成る被エッチング層を形成し、上記被エッチング層をドライエッチング法により選択的にエッチングするようにしたことを特徴とする選択エッチング方法。