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J-GLOBAL ID:200903059286746195

研磨剤

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996288633
Publication number (International publication number):1997193004
Application date: Oct. 30, 1996
Publication date: Jul. 29, 1997
Summary:
【要約】【課題】 シリコンに代表される半導体ウェハーの研磨やIC製造工程中での絶縁膜の研磨等に好適に使用される高純度で、保存安定性、研磨特性に優れた研磨剤を提供する。【解決手段】 水系溶媒に、平均一次粒子径が5〜30nmのヒュームドシリカを分散してなり、シリカ濃度1.5重量%における光散乱指数(n)が3〜6であり、且つ該分散されたヒュームドシリカの重量基準の平均二次粒子径が30〜100nmであり、好ましくは、pHが8〜13に調整されたシリカ分散液よりなる。
Claim (excerpt):
水系溶媒に、平均一次粒子径が5〜30nmのヒュームドシリカを分散してなり、シリカ濃度1.5重量%における光散乱指数(n)が3〜6であり、且つ該分散されたヒュームドシリカの重量基準の平均二次粒子径が30〜100nmであることを特徴とするシリカ分散液よりなる研磨剤。
IPC (3):
B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  H01L 21/304 321
FI (3):
B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D ,  H01L 21/304 321 P
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
  • 特開昭62-030333
  • 特開平3-060420
Cited by examiner (5)
  • 特開昭62-030333
  • 特開平3-060420
  • 特開昭62-030333
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