薄膜半導体集積回路

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995043409
Publication number (International publication number)：1996213477
Application date： Feb. 07, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】 Nチャネル型の薄膜トランジスタとPチャネル型の薄膜トランジスタで構成されたCMOS構成の回路のPチャネル型薄膜トランジスタのリーク電流に起因する消費電力を低減する。【構成】 Pチャネル型の薄膜トランジスタ101とNチャネル型の薄膜トランジスタ103で構成されるCMOS回路において、Pチャンネル型の薄膜トランジスタ102を追加する。この、Pチャネル型の薄膜トランジスタ102での電圧降下を利用することにより、Pチャネル型の薄膜トランジスタ101のドレイン近傍における電界の強さを緩和することができ、薄膜トランジスタ101のリーク電流を低減することができる。そして、CMOS回路全体の消費電力を抑制することができる。

Claim (excerpt)：

少なくとも1個のPチャネル型薄膜トランジスタで構成され、信号入力端子と、出力信号を供給する出力端子を備えた第1の薄膜トランジスタ回路と、また少なくとも1個のNチャネル型薄膜トランジスタで構成され、信号入力端子は前記第1の薄膜トランジスタ回路と入力を共有し、出力信号を供給する出力端子を備えた第2の薄膜トランジスタ回路とを有し、前記第1・第2の薄膜トランジスタ回路の出力端子の間に少なくとも1個のPチャネル型薄膜トランジスタを挿入して接続したことを特徴とする薄膜半導体集積回路。

IPC (5)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/08 331 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 27/08 321 L , H01L 29/78 614 , H01L 29/78 617 A , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-206970
信号伝達回路及び信号伝達制御方式
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-006212 Applicant：株式会社日立製作所
特開昭61-172435

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