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J-GLOBAL ID：200903059318833281

薄膜太陽電池の製造方法

Inventor： 島川 伸一 ,  根上 卓之
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998293729
Publication number (International publication number)：2000124488
Application date： Oct. 15, 1998
Publication date： Apr. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 レーザビームの照射によって膜を分割する際に、膜の盛り上がりや溶融だれを防止することによって、短絡やリークの発生が少ない薄膜太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁性基板10上に下部電極膜11を形成し、スリットによってエネルギーの低い部分が除去されたレーザビームL1によって下部電極膜11を短冊状に分割する。次に、下部電極膜11およびレーザビームL1の照射によって露出した絶縁性基板10上に半導体膜12を形成し、スリットによってエネルギーの低い部分が除去されたレーザビームL2によって半導体膜12を短冊状に分割する。次に、半導体膜12およびレーザビームL2によって露出した下部電極膜11上に上部電極膜13を形成し、スリットによってエネルギーの低い部分が除去されたレーザビームL3によって上部電極膜13を短冊状に分割する。

Claim (excerpt)：

直列接続された2以上のユニットセルを絶縁性基板上に形成する薄膜太陽電池の製造方法であって、前記絶縁性基板上に下部電極膜を形成する第1の工程と、第1のレーザビームを前記下部電極膜に照射することによって前記下部電極膜を短冊状に分割する第2の工程と、前記下部電極膜および前記第2の工程によって露出した前記絶縁性基板上に半導体膜を形成する第3の工程と、第2のレーザビームを前記半導体膜に照射することによって前記半導体膜を短冊状に分割する第4の工程と、前記半導体膜および前記第4の工程によって露出した前記下部電極膜上に上部電極膜を形成する第5の工程と、第3のレーザビームを前記上部電極膜に照射することによって前記上部電極膜を短冊状に分割する第6の工程とを含み、前記第1のレーザビーム、前記第2のレーザビームまたは前記第3のレーザビームのうち少なくとも一つはスリットによってエネルギーの低い光が除去された連続発振のレーザビームであることを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。

F-Term (12)：

5F051AA09 ,  5F051AA10 ,  5F051BA17 ,  5F051CB12 ,  5F051CB14 ,  5F051CB15 ,  5F051EA02 ,  5F051EA09 ,  5F051EA16 ,  5F051FA02 ,  5F051FA04 ,  5F051GA03