種々の基板を異方性プラズマ加工する方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：矢野敏雄 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998517070
Publication number (International publication number)：2000502512
Application date： Oct. 06, 1997
Publication date： Feb. 29, 2000
Summary：

【要約】本発明は、異方性のプラズマ加工を用いてエッチングされた構造体を基板中に製造する方法に関し、この場合には、互いに別個に二者択一的にそれ自体等方的なエッチング工程および側壁の不動態化が実施され、その際基板(2)は、ポリマー、金属または多成分系であり、側壁の不動態化の間に施こされた側壁不動態化層(6)の一部分(8)は、それぞれ次のエッチング工程の間に側壁(7)の露出された側面(7′)上に備えられ、それによって処理全体は異方的にされる。

Claim (excerpt)：

互いに別個に二者択一的にそれ自体等方的なエッチング工程および側壁の不動態化を実施することにより、異方性のプラズマ加工を用いてエッチングされた構造体を基板中に製造する方法において、基板(2)が、ポリマー、金属または多成分系であり、側壁の不動態化の間に施こされた側壁不動態化層(6)の一部分(8)を、それぞれ次のエッチング工程の間に側壁(7)の露出された側面(7′)上に備えさせ、それによって処理全体を異方的にすることを特徴とする、基板中でのエッチングされた構造体の製造法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

FI (2)：

H01L 21/302 J , C23F 4/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

基板を異方性プラズマエッチングする方法および装置、および電子部品またはセンサー素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-113057 Applicant：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
特表平7-503815
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-007336 Applicant：三洋電機株式会社

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