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J-GLOBAL ID：200903059327593811
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991320250
Publication number (International publication number)：1993160020
Application date： Dec. 04, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：
【要約】【目的】低温処理に対応するため低温での改質性能を向上させる。【構成】液体微量連続定量供給装置2と内部に石英粒子4を内蔵した石英の蒸気発生容器3と蒸気結露防止を考慮した効果的な分岐筒9とによって水蒸気と窒素酸化物を含有する高濃度のオゾンを混合して複数ノズル10によって被処理面に供給し、紫外線15の照射をする。【効果】従来の紫外線とオゾンのみの場合に比し、剥離性能の改善効果が得られた。
Claim (excerpt)：
紫外線とオゾンと水蒸気の作用によってレジストを剥離除去する工程においてオゾン生成用原料酸素ガスに窒素ガスを添加したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/027
, H01L 21/302
