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J-GLOBAL ID：200903059337267831

アセタール化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

Inventor： 渡辺 武 ,  金生 剛 ,  長谷川 幸士 ,  西 恒寛 ,  中島 睦雄 ,  橘 誠一郎 ,  畠山 潤
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001219444
Publication number (International publication number)：2002206009
Application date： Jul. 19, 2001
Publication date： Jul. 26, 2002
Summary：

【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示されるアセタール化合物。【化1】(式中、Rは水素原子又は炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状アルキル基、Xは一つの水素原子が水酸基又はアセトキシ基で置換されていてもよい-(CH2)m-を表す。kは0又は1、mは1≦m≦8を満たす整数、nは2又は3である。)【効果】 本発明の高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。特にArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができるという特徴を有する。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示されるアセタール化合物。【化1】(式中、Rは水素原子又は炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状アルキル基、Xは一つの水素原子が水酸基又はアセトキシ基で置換されていてもよい-(CH2)m-を表す。kは0又は1、mは1≦m≦8を満たす整数、nは2又は3である。)

IPC (8)：

C08F 32/00 ,  C07D317/12 ,  C07D317/20 ,  C07D317/24 ,  C08F220/10 ,  C08F222/06 ,  C08F222/10 ,  G03F 7/039 601

FI (8)：

C08F 32/00 ,  C07D317/12 ,  C07D317/20 ,  C07D317/24 ,  C08F220/10 ,  C08F222/06 ,  C08F222/10 ,  G03F 7/039 601

F-Term (34)：

2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AA13 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025FA17 ,  4J100AK32Q ,  4J100AR09P ,  4J100AR11P ,  4J100AR11R ,  4J100BA03P ,  4J100BA10P ,  4J100BA15R ,  4J100BC03P ,  4J100BC03R ,  4J100BC04R ,  4J100BC08R ,  4J100BC09R ,  4J100BC59P ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• フォトレジスト架橋単量体、フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-043101   Applicant：現代電子産業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• J.Am.Chem.Soc., 1982, 104,3,p877-879